不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性


Autoria(s): 张东平; 邵淑英; 黄建兵; 占美琼; 范正修; 邵建达
Data(s)

2006

Resumo

在不同的氧分压下用电子柬热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜。用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、微结构和透射谱等特性进行了表征。实验发现,薄膜沉积中氧分压与薄膜性质及微结构有密切的关系。当氧分压由3.0×10^-3Pa升高到11×10^-3Pa,薄膜的表面粗糙度由3.012nm降低到1.562nm,而薄膜的折射率由2.06降低到2.01。此外,X射线的衍射还发现,薄膜是以四方相为主多相共存的,随着氧分压的增加,特征衍射峰强度逐渐减弱,最后完全变成非晶。

Identificador

http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4380

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/12767

Idioma(s)

中文

Fonte

张东平;邵淑英;黄建兵;占美琼;范正修;邵建达.不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性,光电工程,2006,33(6):37-

Palavras-Chave #光学薄膜 #氧化锆薄膜 #氧分压 #表面迁移率 #薄膜特性
Tipo

期刊论文