LBO晶体上1064nm，532nm二倍频增透膜的设计及误差分析

采用矢量合成法设计了LiB3O5（LBO）晶体上1064nm，532nm二倍频增透膜，在1064nm处的反射率为0．0014％，532nm处的反射率为0．0004％。根据误差分析，薄膜制备时沉积速率精度控制在＋6．5％时，1064nm处的反射率增加至0．22％，532nm处增加至0．87％。材料折射率的变化控制在＋3％时，1064nm处的反射率达0．24％，532nm处达0．22％。沉积速率和折射率控制的负变化不增大特定波长处的剩余反射率。与膜层折射率相比，薄膜物理厚度对剩余反射率的影响小。低折射率膜层的