β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
利用浮区法生长得到β-Ga2O3：Cr单晶体．在室温下测试了β-Ga2O3：Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱．通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数，得到10Dq/B=23．14，表明Cr^3＋在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场β-Ga2O3：Cr单晶体经高温退火后Cr^3＋的发射明显加强，而绿光的发射减弱．采用420nm波长激发，在691nm可得到强而宽的特征发射，此发射对应于Cr^3＋的^4T2→^4A2跃迁． |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张俊刚;李斌;夏长泰;徐军;邓群;徐晓东;吴锋;徐悟生;史宏生;裴广庆;吴永庆.β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性,中国科学E,2007,37(3):370-374 |
| Palavras-Chave | #光学材料;晶体 #β-Ga2O3:Cr #浮区法 #调谐激光晶体 #光谱 |
| Tipo |
期刊论文 |
