透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展
Data(s) |
2005
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Resumo |
本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
张俊刚;夏长泰;吴锋;裴广庆;徐军.透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展,人工晶体学报,2005,34(4):676-681 |
Palavras-Chave | #光学材料;晶体 #透明导电材料 #β-Ga2O3 #单晶体 #浮区法 #衬底 |
Tipo |
期刊论文 |