透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展


Autoria(s): 张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 徐军
Data(s)

2005

Resumo

本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料。

Identificador

http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5887

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/12418

Idioma(s)

中文

Fonte

张俊刚;夏长泰;吴锋;裴广庆;徐军.透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展,人工晶体学报,2005,34(4):676-681

Palavras-Chave #光学材料;晶体 #透明导电材料 #β-Ga2O3 #单晶体 #浮区法 #衬底
Tipo

期刊论文