提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究(英文)
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
由于与GaN晶格失配小(约1．4％)，γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的GaN外延衬底材料。本文使用提拉法生长出了尺寸达Ф5×50mm^3的γ-LiAlO2单晶。对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析，结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8)。γ-LiAlO2晶体化学稳定性差，在室温时轻微水解。当在空气中于1100℃退火70h，γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分，在表面产生缺锂相(LiAl5O8)。值得注意的是，在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
彭观良;邹军;庄漪;张涟翰;周国清;周圣明;徐军;干福熹.提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究(英文),人工晶体学报,2005,34(2):278-282,223 |
| Palavras-Chave | #光学材料;晶体 #提拉法 #晶体 #生长工艺 #γ-LiAlO2 #缺锂相 #化学稳定性 |
| Tipo |
期刊论文 |
