β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶，对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn^4＋和Ti^4＋的掺杂对其紫外吸收边影响。β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰：紫外光（395nm）、蓝光（471nm）、绿光（559nm），还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。