C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
用气相传输平衡技术(VTE)在(0001)蓝宝石衬底上制备了单相的γ-LiAlO2薄层，X射线衍射表明，在适当的温度(1050～1100℃)条件下，此γ-LiAlO2薄层为高度[100]取向，并通过扫描电子显微镜和透射光谱，分析了影响薄膜质量的因素，这一实验结果意味着有望通过VTE技术制备用于GaN基器件外延生长γ-LiAlO2(100)／／Al2O3(0001)复合衬底。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李抒智;杨卫桥;周圣明;徐军.C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究,中国科学E,2005,35(3):249-253 |
| Palavras-Chave | #光学材料;晶体 #蓝宝石 #γ-LiAlO2 #生长工艺 #气相传输平衡技术 #半导体材料 #氮化物 #晶体 |
| Tipo |
期刊论文 |
