无机相变信息存储材料研究新进展
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点。与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用。总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙华军;侯立松;魏劲松;吴谊群;.无机相变信息存储材料研究新进展,激光与光电子学进展,2008,45(4):15-24 |
| Palavras-Chave | #光存储 |
| Tipo |
期刊论文 |
