GdFeCo非晶薄膜磁温度特性


Autoria(s): 王现英; 杨俊和; 干福熹
Data(s)

2007

Resumo

本文以分子场理论为依据,通过实验数据的拟合和分析计算,计算了GdFeCo非晶薄膜饱和磁化强度、交换常数、磁各向异性常数的温度特性,并分析了薄膜成分变化对补偿温度、居里温度等的影响规律,为GdFeCo薄膜在新型磁光存储技术中的应用提供了理论依据。

Identificador

http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/3993

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/11377

Idioma(s)

中文

Fonte

王现英;杨俊和;干福熹.GdFeCo非晶薄膜磁温度特性,功能材料与器件学报,2007,13(5):499-502

Palavras-Chave #光存储 #磁光存储 #分子场理论 #温度特性
Tipo

期刊论文