光参量效应中低阶色散对超短高斯脉冲展宽的影响

以宽度为50fs的超短脉冲和负单轴晶体CsLiB6O10（CLBO）为例，对非线性光学晶体中低阶群速度色散（GVD）导致的超短高斯脉冲和超高斯脉冲的脉冲展宽进行了理论分析。在光参量相互作用过程中，对初始无啁啾和有啁啾调制的超短高斯脉冲的脉冲展宽机制和因素进行了数值计算，得出群速度色散导致超短脉冲的寻常光比非寻常光脉冲展宽更严重；波长越短，脉冲展宽越大；当晶体长度等于色散长度时，脉冲宽度增加为初始时的√2倍，色散长度越短，超短脉冲展宽越明显。