一种高性能硅片曝光场分布优化算法

以提高光刻机应用性能为目的，提出了一种高性能硅片曝光场分布优化算法。由芯片尺寸计算得到最佳曝光场尺寸，使其最接近于光刻机提供的曝光场最大尺寸，提高了曝光系统的利用率；引入曝光场交错分布，减少了硅片边缘曝光场的交叠，提高了光刻产率；建立产率优先和良率优先两种优化方案，实现了产率和良率的共优。以实际芯片产品的参量为例，将本算法用于曝光过程，采用产率优先标准，曝光场数量减少了10％，而内场数量基本不变，提高了光刻的产率也确保了良率；采用良率优先标准，内场数量增长了10％，总的场数也有所减少，提高了光刻良率的可靠