类氢氖在高温高密度等离子体中的光谱漂移
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
采用离子球模型，通过自治求解Poisson方程和Dirac方程，得到氖的类氢离子低能级组态的能级能量随等离子体电子温度和电子密度的变化关系，进一步研究了等离子体电子温度和电子密度对光谱漂移的影响。结果表明：光谱漂移随着等离子体电子密度的增大而增大，随着电子温度的升高而减小；谱线精细结构分裂随着电子密度的增大而减小．随着电子温度的升高而增大。等离子体对束缚电子的屏蔽是决定光谱漂移的主要原因。这些变化规律不仅对等离子体光谱模拟结果产生影响，而且使实验上观测光谱的相对或绝对漂移成为可能．从而为高密度等离子体诊断 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张丽;李向东.类氢氖在高温高密度等离子体中的光谱漂移,强激光与粒子束,2006,18(5):779-784 |
| Palavras-Chave | #激光技术;激光物理与基本理论 #类氢离子 #等离子体 #光谱漂移 #精细结构分裂 #离子球模型 |
| Tipo |
期刊论文 |
