表面粗糙度对化学机械抛光工艺过程流动性能的影响


Autoria(s): 魏红波; 谭援强; 高太元; 李明军
Data(s)

15/08/2009

Resumo

采用随机中点位移法通过计算机模拟抛光垫和晶片的基于分形的粗糙表面,构造了一种新的膜厚方程。在新膜厚方程的基础上分析了一般润滑方程及带离心项的润滑方程对化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的压力分布以及无量纲载荷和转矩的影响。结果表明,考虑抛光垫和晶片表面的粗糙程度的影响时,抛光液的压力分布有一定的波动,且压力最大值有所增大,压力最小值有所减小;此外无量纲载荷和转矩的数值也变小。

国家自然科学基金项目(50675185)

教育部新世纪人才项目(NCET06-0708)

Identificador

http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/33221

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/8968

Idioma(s)

中文

Fonte

润滑与密封.2009(8):33-38+52

Palavras-Chave #化学机械抛光 #润滑方程 #粗糙表面 #分形
Tipo

期刊论文