Evidence of dopant type-inversion and other radiation damage effects of the CDF silicon detectors


Autoria(s): Martínez Ballarín, Roberto
Contribuinte(s)

Redondo Fernández, Ignacio

González López, Oscar

Ingeniería Nuclear y Mecánica de Fluidos/Inteniaritza Nuklearra eta Jariakinen Mekanika

Data(s)

06/05/2014

06/05/2014

01/04/2011

01/04/2011

Resumo

xix, 213 p.

Se han estudiado los efectos producidos por la radiación sobre los detectores de silicio del experimento CDF, en particular el fenómeno de inversión del tipo de dopante y la evolución de las corrientes de polarización.

Identificador

978-84-694-5817-4

http://hdl.handle.net/10810/12276

Idioma(s)

eng

Publicador

Servicio Editorial de la Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatearen Argitalpen Zerbitzua

Direitos

info:eu-repo/semantics/openAccess

Palavras-Chave #física de partículas #semiconductores #detectores de partículas #dispositivos de estado sólido
Tipo

info:eu-repo/semantics/doctoralThesis