离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
| Data(s) |
08/08/2004
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| Resumo |
采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2 的晶体质量变得更好 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
半导体学报.2004,25(8):972-975 |
| Palavras-Chave | #离子束淀积 #X射线衍射 #GdSi |
| Tipo |
期刊论文 |
