低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
| Data(s) |
30/06/2004
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|---|---|
| Resumo |
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。 国家自然科学基金 60 1760 0 1 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
固体电子学研究与进展.2004,24(2):258-261 |
| Palavras-Chave | #镓 #低能离子束系统 #砷化镓衬底 #钆 #砷薄膜 |
| Tipo |
期刊论文 |
