用改进的混合方法分析微电子封装热应变场

介绍一种可用于微电子封装局部应变场分析的实验/计算混合方法，该方法结合了有限元的整体/局部模型和实时的激光云纹干涉技术，利用激光云纹干涉技术所测得的应变场来校核有限元整体模型的计算结果，并用整体模型的结果作为局部模型的边界条件，对实验难以确定的封装结构局部位置的应力、应变场进行分析。用这种方法对可控坍塌倒装封装结构在热载荷作用下焊球内的应变场分布进行了分析，结果表明该方法能够提供封装结构内应力-应变场分布的准确和可靠的结果，为微电子封装的可靠性分析提供重要的依据。