硅基MEMS技术
| Data(s) |
30/12/2001
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|---|---|
| Resumo |
结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向 ;标准化加工是MEMS研究的重要手段 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
机械强度.2001,23(4): 523-526 |
| Palavras-Chave | #微电子机械系统 #牺牲层 #体硅工艺 #深刻蚀 |
| Tipo |
期刊论文 |
