CMP流场的数值模拟及离心力影响分析
| Data(s) |
18/11/2008
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| Resumo |
化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是一项融合化学分解和机械力学的工艺,其中包含了流体动力润滑的作用.在已有润滑方程的基础上,提出并分析了带有离心力项的润滑方程.利用Chebyshev加速超松弛技术对有离心力项的润滑方程进行求解,得到离心力对抛光液压力分布的影响.数值模拟结果表明,压力分布与不带离心力项的润滑方程得出的明显不同;无量纲载荷和转矩随中心膜厚、转角、倾角、抛光垫旋转角速度等参数的变化趋势相同,但数值相差较大,抛光垫旋转角速度越大差别越大. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
力学学报.2008,40(6): 729-734 |
| Palavras-Chave | #化学机械抛光 #离心力 #润滑方程 #压力分布 #Chebyshev加速超松弛技术 |
| Tipo |
期刊论文 |
