高频等离子法制取超细Si_3N_4粉末


Autoria(s): 张智伯; 谭益钦; 邵国强; 庄祎哲; 朱清文; 阎家坪; 赵俊平
Data(s)

1990

Resumo

本文述及高频等离子法制取超细Si_3N_4粉末的原理、装置,工艺参数及粉末性能的一些检测结果。利用SiCl_4+NH_3气-气相反应,所得白色粉末含有NH_4Cl晶体,热重分析表明350℃失重停止,280℃失重速率最快,经400~700℃处理后的粉末仍为非晶,不含NH_4Cl,BET测得比表面积为75.8 m~2/g,X光小角度散射法测粒子半径分布主峰R为100~150,且符合正态对数分布规律,平均直径=527;1400℃处理后,X光衍射测得主相为α-Si_3N_4、次相为Si_2N_2O,粒径明显长大,平均直径达1700。

Identificador

http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/36252

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/3477

Idioma(s)

中文

Fonte

钢铁研究学报.1990,2(1):49-54

Palavras-Chave #高频等离子体 #超细 #粉末 #非晶 #晶化
Tipo

期刊论文