液体金属吸附促进位错发射的分子动力学研究

结果表明，Al吸附Ga后可使发现位错的临界应力强度因子从K_(Ie)=0.5MPam~(1/2)降为K_(Ie)(L)=0.4Mpam~(1/2)；对Cu则从K_(Ie)=0.55MPam~(1/2)降为K_(Ie)(L)=0.45MPam~(1/2)，即Ga吸附后能促进位错的发现。另外，吸附Ga之后裂尖前方容易产生空位团及Frank位错。