压阻式高量程微加速度计的冲击校准

采用体硅微机械加工技术和扩散技术，制作压阻式高量程微加速度计，设计量程为50000 g_n。芯片材料为单晶硅，采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度，使用Hopkinson杆在约40000 g_n的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下，被测微加速度计的灵敏度为1.26 μV/g_n。