氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底

发展了氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底的技术。与传统的加热硫化法相比，该法制作的基底表面具有亲水性，细胞的粘附、铺展以及基底皱褶变形的发展均非常迅速。此外，观察了细胞松弛素D处理过程中基底皱褶的变化，结果表明这种技术具有较高的时间分辨率。