Il racconto mozambicano e lo stile unico di Mia Couto: proposta di traduzione dal portoghese del racconto "A Chuva Pasmada"

Il presente elaborato offre una proposta di traduzione dal portoghese del racconto A Chuva Pasmada di Mia Couto, autore mozambicano contemporaneo vincitore del Premio Camões nel 2013. Il testo, considerato un esempio del realismo “animista”, è stato pubblicato nel 2004 dalla casa editrice portoghese Caminho e, dirigendosi a un pubblico prevalentemente adolescente e adulto, racconta la storia di un bambino nero e del suo villaggio, con uno stile molto originale. Nel libro la finzione si fonde con temi estremamente attuali come il razzismo e l’inquinamento, e un elemento semplicissimo come l’acqua viene mostrato nelle sue molteplici forme, ognuna delle quali acquisisce un diverso significato simbolico. Il lavoro si articola essenzialmente in tre capitoli: nel primo capitolo vi è una breve storia della letteratura mozambicana (indispensabile, a mio avviso, per comprendere le innovazioni introdotte da Mia Couto) e un’introduzione alle caratteristiche del racconto, il genere letterario tradizionalmente privilegiato in Mozambico e in altri paesi africani; il secondo capitolo è dedicato, invece, alla vita e allo stile di Mia Couto, all’autore del racconto A Chuva Pasmada, di cui vengono introdotte le caratteristiche principali; il terzo ed ultimo capitolo è composto dalla proposta di traduzione di A Chuva Pasmada e da una breve analisi delle scelte traduttive.

Novel transparent and flexible transistors for radiation harsh environment

La scoperta dei semiconduttori amorfi ha segnato l’era della microelettronica su larga scala rendendo possibile il loro impiego nelle celle solari o nei display a matrice attiva. Infatti, mentre i semiconduttori a cristalli singoli non sono consoni a questo tipo di applicazioni e i s. policristallini presentano il problema dei bordi di grano, i film amorfi possono essere creati su larga scala (>1 m^2) a basse temperature (ad es. <400 °C) ottenendo performance soddisfacenti sia su substrati rigidi che flessibili. Di recente la ricerca sta compiendo un grande sforzo per estendere l’utilizzo di questa nuova elettronica flessibile e su larga scala ad ambienti soggetti a radiazioni ionizzanti, come lo sono i detector di radiazioni o l’elettronica usata in applicazioni spaziali (satelliti). A questa ricerca volge anche la mia tesi, che si confronta con la fabbricazione e la caratterizzazione di transistor a film sottili basati su ossidi semiconduttori ad alta mobilità e lo studio della loro resistenza ai raggi X. La micro-fabbricazione, ottimizzazione e caratterizzazione dei dispositivi è stata realizzata nei laboratori CENIMAT e CEMOP dell’Università Nova di Lisbona durante quattro mesi di permanenza. Tutti i dispositivi sono stati creati con un canale n di ossido di Indio-Gallio-Zinco (IGZO). Durante questo periodo è stato realizzato un dispositivo dalle ottime performance e con interessanti caratteristiche, una delle quali è la non variazione del comportamento capacitivo in funzione della frequenza e la formidabile resistenza alle radiazioni. Questo dispositivo presenta 114 nm di dielettrico, realizzato con sette strati alternati di SiO2/ Ta2O5. L’attività di ricerca svolta al Dipartimento di Fisica e Astronomia di Bologna riguarda prevalentemente lo studio degli effetti delle radiazioni ionizzanti su TFTs. Gli esperimenti hanno rivelato che i dispositivi godono di una buona stabilità anche se soggetti alle radiazioni. Infatti hanno mostrato performance pressoché inalterate anche dopo un’esposizione a 1 kGy di dose cumulativa di raggi X mantenendo circa costanti parametri fondamentali come la mobilità, il threshold voltage e la sub-threshold slope. Inoltre gli effetti dei raggi X sui dispositivi, così come parametri fondamentali quali la mobilità, si sono rivelati essere notevolmente influenzati dallo spessore del dielettrico.