Synthesis of high quality n-type CdS nanobelts and their applications in nanodevices

High quality n-type CdS nanobelts (NBs) were synthesized via an in situ indium doping chemical vapor deposition method and fabricated into field effect transistors (FETs). The electron concentrations and mobilities of these CdS NBs are around (1.0x10(16)-3.0x10(17))/cm(3) and 100-350 cm(2)/V s, respectively. An on-off ratio greater than 10(8) and a subthreshold swing as small as 65 mV/decade are obtained at room temperature, which give the best performance of CdS nanowire/nanobelt FETs reported so far. n-type CdS NB/p(+)-Si heterojunction light emitting diodes were fabricated. Their electroluminescence spectra are dominated by an intense sharp band-edge emission and free from deep-level defect emissions. (c) 2006 American Institute of Physics.

Green-light-emitting ZnSe nanowires fabricated via vapor phase growth

Stoichiometric ZnSe nanowires have been synthesized through a vapor phase reaction of zinc and selenium powder on the (100) silicon substrate coated with a gold film of 2 nm in thickness. The microstructures and the chemical compositions of the as-grown nanowires have been investigated by means of electron microscopy, the energy dispersive spectroscopy, and Raman spectroscopy. The results reveal that the as-grown materials consist of ZnSe nanowires with diameters ranging from 5 to 50 nm. Photoluminescence of the sample demonstrates a strong green emission from room temperature down to 10 K. This is attributed to the recombination of electrons from conduction band to the medium deep Au acceptors. (C) 2003 American Institute of Physics.

Abatement of waste gases and water during the processes of semiconductor fabrication

The purpose of this article is to examine the methods and equipment for abating waste gases and water produced during the manufacture of semiconductor materials and devices. Three separating methods and equipment are used to control three different groups of electronic wastes. The first group includes arsine and phosphine emitted during the processes of semiconductor materials manufacture. The abatement procedure for this group of pollutants consists of adding iodates, cupric and manganese salts to a multiple shower tower (MST) structure. The second group includes pollutants containing arsenic, phosphorus, HF, HCl, NO2, and SO3 emitted during the manufacture of semiconductor materials and devices. The abatement procedure involves mixing oxidants and bases in an oval column with a separator in the middle. The third group consists of the ions of As, P and heavy metals contained in the waste water. The abatement procedure includes adding CaCO3 and ferric salts in a flocculation-sedimentation compact device equipment. Test results showed that all waste gases and water after the abatement procedures presented in this article passed the discharge standards set by the State Environmental Protection Administration of China.

一个三维需求模型及其对涉众协同的支持

在多涉众(stakeholder)参加的协同开发活动中,不同的涉众关注软件开发的不同方面,例如技术、过程、人.由于涉众的"赢条件(win condition)"之间的相互影响冲突往往是隐含的,所以,它们之间的冲突不容易被发现,导致各方共赢的均衡状态难以达成.提出了一个三维的需求模型TRISO-RM(tri-dimensional integrated software requirements model),通过它来描述和集成涉众对于软件开发不同方面的赢条件.在此基础上,通过由一组互相依赖的制品、活动、参与者所构成的TRISO-Element作为媒介,以发现、建立和维护不同赢条件之间的关系.基于TRISO-RM,分析了涉众目标冲突的一种典型形式——模型冲突(model clash)所发生的机理,并给出了发现与解决的过程.通过在软件质量管理平台SoftPM的开发中的实践应用,TRISO-RM方法对于涉众协同支持的有效性得到了验证.

单调速率及其扩展算法的可调度性判定

任务可调度性判定是实时系统调度理论研究的核心问题.单调速率(RM)算法是实时调度的重要算法,自其提出以来已被广泛研究.然而到目前为止,尚缺乏专题性的文章来系统而深入地探讨RM及其扩展算法的可调度性判定,以及各种现实条件和实现方式(包括任务调度的时间开销和任务同步问题等)对可调度性的影响.围绕RM算法下的可调度性判定问题,由浅入深,系统性地讨论各种不同假设和实现方式对可调度性的影响,具体分为下述3大类问题:(1)理想的RM算法下的可调度性判定的CPU利用率最小上界及可调度的充分必要条件;(2)考虑调度时间开销情况下的可调度性判定条件;(3)优先级反转协议及其对可调度性的影响.给出了具体实例来阐述上述问题,并从算法复杂度和可检测率两方面来比较各种算法的优劣.

一种静态最少优先级分配算法

随着实时系统越来越多地应用于各种快速更新系统,尤其是各种片上系统,如PDA(personal digital assistant),PSP(play station portable)等,性价比已成为系统设计者的主要关注点.实际应用中,实时系统通常仅支持较少的优先级,常出现系统优先级数小于任务数的情况(称为有限优先级),此时,需将多个任务分配到同一系统优先级,RM(rate monotonic),DM(deadline monotonic)等静态优先级分配算法不再适用.为此,静态有限优先级分配是研究在任务集合静态优先级可调度的情况下,可否以及如何用较少或最少的系统优先级保持任务集合可调度.已有静态有限优先级分配可分为两类:固定数目优先级分配和最少优先级分配.给出了任意截止期模型下任务静态有限优先级可调度的充要条件以及不同静态有限优先级分配间转换时的几个重要性质,指出了系统优先级从低到高分配策略的优越性,定义了饱和任务组与饱和分配的概念,证明了在任务集合静态优先级可调度的情况下,最少优先级分配比固定数目优先级分配更具一般性.最后提出一种最少优先级分配算法LNPA(least-number priority assignment).与现有算法相比,LNPA适用范围更广,且复杂度较低.

基于逻辑"或"约束优化的实时系统设计

标准约束优化问题的等式或不等式约束之间是逻辑“与”关系，目前已经有很多高效、收敛的优化算法．但是，在实际应用中有很多更一般的约束优化问题，其等式或不等式约束之间不仅包含逻辑“与”关系，而且还包含逻辑“或”关系，现有的针对标准约束优化问题的各种算法不再适用，给出一种新的数学变换方法，把具有逻辑“或”关系的不等式约束转换为一组具有逻辑“与”关系的不等式，并应用到实时单调速率调度算法的可调度性判定充要条件中，把实时系统设计表示成混合布尔型整数规划问题，利用经典的分支定界法求解．实验部分指出了各种方法的优缺点．

一种基于软件过程仿真的软件项目风险管理方法

软件开发是一项高度复杂的活动，涉及到人员、过程、产品、客户等多种因素，这些因素中存在着大量的不确定性，在软件项目中表现为风险。风险能够给软件项目带来严重的危害，造成工程延期、成本超支、软件产品质量低下等各种问题，因此软件项目管理者必须对软件项目风险进行有效的管理。 软件项目风险管理是软件项目管理中不可或缺的重要组成部分，但是在实际的软件项目中，软件项目风险管理却常常被忽略，很多项目管理者凭自己的经验和直觉来管理软件项目风险。造成这种现象的原因除了软件企业的文化因素外，主要是因为软件项目管理者缺少操作层面上有效的风险管理方法和工具。 软件过程仿真能够分析软件过程的动态行为特性，预测软件过程执行的性能，是一种很好的软件项目分析和管理工具。软件过程仿真已经广泛应用于包括风险管理在内的软件项目管理的多个方面。多项研究已经表明软件过程仿真作为一种有效的风险管理方法和工具，能够很好的支持软件项目风险管理过程。 为了指导软件项目管理者使用软件过程仿真进行风险管理，本文提出了一种基于软件过程仿真的软件项目风险管理方法（SPS-RM）。该方法是一种使用软件过程仿真进行软件项目风险管理的通用方法框架，实现了“风险监控风险影响分析风险解决”的风险管理过程，并且为每个风险管理活动都提供了相应的过程仿真模型。SPS-RM方法还包括使用软件过程仿真进行风险管理的通用步骤，以及建立和分析过程仿真模型的一般方法，并为模型、步骤和方法都提供了详细的指导说明。 本文的主要贡献包括： 对软件过程仿真在软件项目风险管理中的应用和研究现状进行了调研。调研的目的是为了获得当前的研究进展，找出目前存在的问题，并指出未来可能的研究方向。调研的结果为本文的研究方向提供了很好的指导，也为本文的具体研究内容提供了良好的理论和实际依据。 提出了一种基于软件过程仿真的软件项目风险管理方法（SPS-RM）。该方法是一个使用软件过程仿真进行软件项目风险管理的通用方法框架，其目的是指导广大的软件项目管理者使用软件过程仿真有效的管理软件项目风险。SPS-RM是本文的核心方法，后面对两个具体风险的研究都是基于该方法进行的。 提出了需求变更风险分析仿真方法（RVSim）。需求变更是一种在软件项目中常见的、对软件项目影响较大的风险。本文基于SPS-RM方法对需求变更风险进行研究，提出了需求变更风险分析仿真方法。该方法以需求的横向和纵向跟踪信息为基础，对需求变更的处理过程进行仿真，能够量化的给出单个需求变更或者一系列需求变更对软件项目的时间和工作量的影响，帮助项目管理者更好的理解和管理需求变更风险。 提出了人员离职风险解决仿真方法（LF-ETRS）。人员离职是软件项目中的另一个重要风险。本文基于SPS-RM方法对人员离职风险进行研究，提出了人员离职风险解决仿真方法。该方法的主要特点是首次在对软件项目中的人员进行建模时同时考虑了人的学习和遗忘行为，因此能够更加准确的预测人员替代所需的时间和成本。另外，该方法还考虑了除人员替代外的其他解决措施，通过对多种解决措施进行建模和仿真，项目管理者可以根据项目的实际情况和仿真结果选择最合适的措施来解决人员离职风险。

掺Yb3+玻璃的光谱特性

研究了掺Yb3+硅酸盐玻璃的吸收光谱和发射光谱. 采用Fuchbauer—Ladenburger(F-L) 和 Reciprocity Method(RM)两种方法计算和探讨了Yb3+的积分吸收截面和受激发射截面及荧光寿命等光谱参数. 结果表明, 相同厚度下这些参数随Yb2O3 掺杂浓度的增加而增大，且在Yb2O3 浓度为1.5mol%时取得最大值，在样品厚度为2mm 时荧光寿命最大(1.06 ms)；Yb3+基态再吸收造成采用两种方法计算的发射面积存在差值，比较发现采用RE 方法计算Yb3+的受激发射截面较为合理.

STRUCTURAL DEFECTS AND THEIR ELECTRICAL-ACTIVITY IN GERMANIUM IMPLANTED SILICON

The electrical and structural characteristics of secondary defects in regrown amorphous layers formed in n-type Si(100) with a resistivity of 2 OMEGA cm and 6 OMEGA cm using Ge+ ions, has been studied. The amorphous layers with a thickness of 460 nm are formed by implantation of 1 x 10(15) Ge+ cm-2 at an energy of 400 keV. Both conventional furnace and rapid thermal annealing were used to regrow the amorphous layer and the residual defects have been characterised in terms of their concentration depth distribution and activation energies using C-V and DLTS. Structural information has been obtained from RBS and XTEM. By choosing suitable anneal conditions it is possible to eliminate extended defects, apart from a low concentration of end of range dislocation loops. However, a substantial population of electrically active point defects remain after simple low thermal budget anneals. In a sample implanted with 1 x 10(15) Ge+ cm-2 at 400 keV a region of deep donors approximately 460 nm from the surface is always present When the samples are annealed at higher temperatures (> 850-degrees the total deep donor concentration is reduced by one order of magnitude. Other electrically active defects not observable in the low (750-degrees-C) temperature annealed layers become apparent during anneals at intermediate temperatures.