Potencia máxima de un haz láser pulsante para la caracterización del arseniuro de galio
| Data(s) |
17/05/2012
17/05/2012
2002
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|---|---|
| Resumo |
[ES] En este trabajo se indican los límites de utilización de una técnica de caracterización de semiconductores basada en la iluminación del material con un haz láser. Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos. |
| Identificador |
http://hdl.handle.net/10553/7405 231633 |
| Idioma(s) |
spa |
| Direitos |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Fonte |
Vector Plus. Las Palmas de Gran Canaria: Fundación Universitaria, 1994- ISSN 1134-5306, n.19, 2002 |
| Palavras-Chave | #22 Física |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/article |
