赝配GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
半导体材料开放实验室基金,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
卢励吾;张砚华;杨国文;王占国;Wang J;Wang Y;Ge Weikun.赝配GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量,物理学报,1998,47(8):1339 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
