外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式. 国家自然科学基金(批准号:1 334 3 ,6 676 54)资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周蓉;孙宝权;阮学忠;甘华东;姬扬;王玮竹;赵建华.外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响,物理学报,2008,57(8):5244-5248 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
