无机相变信息存储材料研究新进展


Autoria(s): 孙华军; 侯立松; 魏劲松; 吴谊群
Data(s)

2008

Resumo

硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点。与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用。总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景。

Identificador

http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4039

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/11400

Idioma(s)

中文

Fonte

孙华军;侯立松;魏劲松;吴谊群;.无机相变信息存储材料研究新进展,激光与光电子学进展,2008,45(4):15-24

Palavras-Chave #光存储
Tipo

期刊论文